介電常數及介質損耗試驗儀

簡要描述：介電常數及介質損耗試驗儀滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內）下電容率和介質損耗因數的推薦方法

產品型號：GBT 1409-2006
廠商性質：生產廠家
更新時間：2025-09-17
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詳細介紹

一、概述

介質損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的一項重要的物理性質，通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數（ε），可進一步了解影響介質損耗和介電常數的各種因素，為提高材料的性能提供依據；該儀器用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。

二、測試原理

介電常數及介質損耗試驗儀采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數字鎖定，標準頻率測試點自動設定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉換，數值顯示等新技術，改進了調諧回路，使得調諧測試回路的殘余電感減至ZUI低，并保留了原Q表中自動穩幅等技術，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯及串聯電阻，傳輸線的特性阻抗等。

三、滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內）下電容率和介質損耗因數的推薦方法

儀器組成：

介電常數及介質損耗試驗儀由S916測試裝置（夾具）、高頻Q表、數據采集和tanδ自動測量控件（裝入Q表中的軟件模塊)、及LKI-1型電感器組成。依據國標GB/T 1409-2006、GB/T 1693-2007、美標ASTM D150以及國際電工委員會IEC60250的規定設計制作。系統提供了絕緣材料的高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(ε)自動測量的最佳解決方案。本儀器中測試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數通過公式計算得到。通過數字Q表具有自動計算介電常數（ε）和介質損耗（tanδ）。

主機Q表技術參數：

Q標規格	Q表1 標配默認出貨	Q表2	Q表3
信號源	DDS數字合成信號	DDS數字合成信號	DDS數字合成信號
頻率范圍	10KHZ-70MHz	10KHZ-100MHz	100KHZ-160MHz
信號源頻率精度	1×10-6 ±1	3×10-5 ±1	3×10-5 ±1
Q測量范圍	1-1023自動/手動	1-1023自動/手動	1-1023自動/手動
Q值量程分檔	30 100 300 1000 自動換擋或手動換擋	30 100 300 1000 自動換擋或手動換擋	30 100 300 1000 自動換擋或手動換擋
電感范圍	4.5NH-10MH	4.5NH-10MH	1nH-140mH
主電容調節范圍	30-500pF	30-540pF	主電容17-240pF
電容直接測量范圍	1-460pF	1-460pF	1pF～25nF
調諧電容誤差分辨率	±1.5 pF 150PF以下；150PF以上±1%	±1.5 pF 150PF以下； 150PF以上±1%	±1.5 pF 150PF以下；150PF以上±1%
Q合格指示預置功能范圍	5-1000	5-1000	5-1000
Q量程切換	自動/手動	自動/手動	自動/手動

測試裝置（夾具）技術參數：

本測試裝置是由二只測微電容器組成，平板電容器一般用來夾持被測樣品，園筒電容器是一只分辨率高達0.0033pF的線性可變電容器，配用儀器作為指示儀器，絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放進平板電容器和不放進樣品的Q值變化，由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時，由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數。

測試裝置規格：

固體：材料測量直徑 Φ50mm/Φ38mm 可選；厚度可調 ≥ 15mm （二選一）

液體：測量極片直徑 Φ38mm；液體杯內徑Φ48mm 、深7mm（選配）

LKI-1電感組技術參數

電感No	電感量	準確度%	Q值≥	分布電容約略值	諧振頻率范圍 MHz		適合介電常數測試頻率
電感No	電感量	準確度%	Q值≥	分布電容約略值	Q表1/2	Q表3	適合介電常數測試頻率
1	0.1μH	±0.05μH	200	5pF	20~70	31~103	50MHz
2	0.5μH	±0.05μH	200	5pF	10~37	14.8~46.6	15MHz
3	2.5μH	±5%	200	5pF	4.6~17.4	6.8~21.4	10MHz
4	10μH	±5%	200	6pF	2.3~8.6	3.4~10.55	5MHz
5	50μH	±5%	200	6pF	1~3.75	1.5~4.55	1.5MHz
6	100μH	±5%	200	6pF	0.75~2.64	1.06~3.20	1MHz
7	1mH	±5%	150	8pF	0.23~0.84	0.34~1.02	0.5MHz
8	5mH	±5%	130	8pF	0.1~0.33	0.148~0.39	0.25MHz
9	10mH	±5%	90	8pF	0.072~0.26	0.107~0.32	0.1MHz

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